专利详情

专利名称	可调节沟道应力的器件与方法
申请号	CN201010586003.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102487086A	公开（授权）日	2012.06.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	殷华湘;徐秋霞;陈大鹏
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I
专利有效期	可调节沟道应力的器件与方法至可调节沟道应力的器件与方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种可调节沟道应力的器件与方法。提供一种MOS器件(200、300)，包括半导体衬底(202、302)；形成在半导体衬底(202、302)上的沟道；形成在沟道上的栅介电层(204、304)；形成在栅介电层(204、304)上的栅极导体(206、306)；以及形成在栅极两侧的源极与漏极；其中所述栅极导体(206、306)具有产生施加到沟道中的第一应力以调节沟道中载流子的迁移率的形状。本发明可以通过控制刻蚀工艺参数来调节栅极导体的形状，方便地调节沟道中的应力大小，同时可以与其他产生应力的机制组合使用，得到希望得到的沟道应力。