专利详情

专利名称	纳米多层膜、场效应管、传感器、随机存储器及制备方法
申请号	CN201110290063.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102487124A	公开（授权）日	2012.06.06
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	韩秀峰;刘厚方;瑞之万
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I
专利有效期	纳米多层膜、场效应管、传感器、随机存储器及制备方法至纳米多层膜、场效应管、传感器、随机存储器及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种电场调控型纳米多层膜、电场调制型场效应管、开关型电场传感器及电场驱动型随机存储器及制备方法，以用来获得室温下电场调制多层薄膜中的电致电阻效应。该纳米多层膜由下至上依次包括底层1、基片、底层2、功能层、缓冲层、绝缘层、中间导电层、覆盖层，中间导电层为磁性金属、磁性合金或者磁性金属复合层时，缓冲层和绝缘层可以根据实际需要选择性的添加。当中间导电层为非磁性金属层或反铁磁性金属层时，缓冲层和绝缘层必须添加，以便获得较高的信噪比。本发明通过变化的电场对铁电或多铁性材料的电极化特性进行调制，从而达到影响和改变金属层的电导的作用，调控器件电阻的变化，获得不同的电场下对应不同的电阻态，实现电致电阻效应。