专利详情

专利名称	一种提高掺铝ZnO透明导电薄膜AZO导电性和稳定性的方法
申请号	CN200910112948.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102094182A	公开（授权）日	2011.06.15
申请（专利权）人	中国科学院福建物质结构研究所	发明（设计）人	黄丰;林璋;湛智兵
主分类号	C23C14/58(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/58(2006.01)I
专利有效期	一种提高掺铝ZnO透明导电薄膜AZO导电性和稳定性的方法至一种提高掺铝ZnO透明导电薄膜AZO导电性和稳定性的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种提高掺铝ZnO透明导电薄膜AZO导电性和稳定性的方法。对于磁控溅射制备的不稳定AZO薄膜，采用Zn气氛退火的方法来改善薄膜的导电性和稳定性。将薄膜和金属Zn粒一起密封于真空容器中，加热到一定的温度并维持一定的时间，使Zn原子填入到薄膜的Zn空位处，从而同时提高薄膜迁移率和载流子浓度。经本方法处理过的AZO薄膜拥有1.5×10-4(Ωcm)的低电阻率，将其分别置于室温和100℃的空气中，在长达三个月的时间里，电阻率没有变化。本方法极大地提高了AZO薄膜的导电性和稳定性，对AZO薄膜的在实际中的广泛使用能产生重要的影响。