
电光控制二维激光光束扫描阵列
- 申请号:CN200810037759.1
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海光学精密机械研究所
- 公开(公开)号:CN101285980
- 公开(公开)日:2008.10.15
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 电光控制二维激光光束扫描阵列 | ||
申请号 | CN200810037759.1 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101285980 | 公开(授权)日 | 2008.10.15 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明(设计)人 | 职亚楠;闫爱民;刘德安;周煜;孙建锋;刘立人 |
主分类号 | G02F1/29(2006.01)I | IPC主分类号 | G02F1/29(2006.01)I |
专利有效期 | 电光控制二维激光光束扫描阵列 至电光控制二维激光光束扫描阵列 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 一种电光控制二维激光光束扫描阵列,其特征是由控制阵列和发射阵列两部分 组成,所述的控制阵列是单列的N个电光开关单元构成,所述的发射阵列的结构是 由N×M电光开关单元构成的N行M列的矩阵结构,形成N+N×M光束扫描阵列, 其中N和M是大于1的正整数,所述的电光开关单元由两个光轴方向不同的第一晶 体和第二晶体组合而成:入射光方向沿第一晶体的光轴前进,在第一晶体垂直于光 轴的两相对的表面镀金属电极对,以便给该晶体施加横向半波电压;第二晶体为体 全息光栅。本发明具有体积小、结构紧凑、功耗低、开关速度快、扫描精度高、扫 描范围大、控制简单等优点,并可以通过改变出射面的倾角实现发射角度的改变, 具有良好的发展前景。 |
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