
一种纳米TiO2纳米薄膜传感电极的制备方法
- 申请号:CN200810050648.4
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院长春应用化学研究所
- 公开(公开)号:CN101285790
- 公开(公开)日:2008.10.15
- 法律状态:授权
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专利详情
专利名称 | 一种纳米TiO2纳米薄膜传感电极的制备方法 | ||
申请号 | CN200810050648.4 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101285790 | 公开(授权)日 | 2008.10.15 |
申请(专利权)人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明(设计)人 | 王一喆;蒋俊光;董绍俊 |
主分类号 | G01N27/30(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/30(2006.01)I |
专利有效期 | 一种纳米TiO2纳米薄膜传感电极的制备方法 至一种纳米TiO2纳米薄膜传感电极的制备方法 | 法律状态 | 授权 |
说明书摘要 | 本方法属于一种纳米TiO2纳米薄膜传感电极的制备方法。将钛 酸正丁酯,无水乙醇,表面活性剂和浓盐酸充分混合,在室温下搅拌 4小时-6小时得到前驱剂,然后将前驱剂旋涂在清洁的氧化铟锡镀层 的导电玻璃基底上,接着在20℃-30℃,相对湿度在50%-75%下, 将旋涂有前驱剂的导电玻璃保存24小时-72小时,最后经过350℃ -700℃高温煅烧。TiO2纳米薄膜牢固地结合在导电玻璃基底上即构 成了TiO2传感电极。本方法制备的TiO2纳米薄膜的性状,与基底结 合程度得到很好的控制,作为COD传感探头具有良好光催化活性, 成本低廉,重现性好,使用寿命长等优点。 |
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