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一种纳米TiO2纳米薄膜传感电极的制备方法

  • 申请号:CN200810050648.4
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院长春应用化学研究所
  • 公开(公开)号:CN101285790
  • 公开(公开)日:2008.10.15
  • 法律状态:授权
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种纳米TiO2纳米薄膜传感电极的制备方法
申请号 CN200810050648.4 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101285790 公开(授权)日 2008.10.15
申请(专利权)人 中国科学院长春应用化学研究所 发明(设计)人 王一喆;蒋俊光;董绍俊
主分类号 G01N27/30(2006.01)I IPC主分类号 G01N27/30(2006.01)I
专利有效期 一种纳米TiO2纳米薄膜传感电极的制备方法 至一种纳米TiO2纳米薄膜传感电极的制备方法 法律状态 授权
说明书摘要 本方法属于一种纳米TiO2纳米薄膜传感电极的制备方法。将钛 酸正丁酯,无水乙醇,表面活性剂和浓盐酸充分混合,在室温下搅拌 4小时-6小时得到前驱剂,然后将前驱剂旋涂在清洁的氧化铟锡镀层 的导电玻璃基底上,接着在20℃-30℃,相对湿度在50%-75%下, 将旋涂有前驱剂的导电玻璃保存24小时-72小时,最后经过350℃ -700℃高温煅烧。TiO2纳米薄膜牢固地结合在导电玻璃基底上即构 成了TiO2传感电极。本方法制备的TiO2纳米薄膜的性状,与基底结 合程度得到很好的控制,作为COD传感探头具有良好光催化活性, 成本低廉,重现性好,使用寿命长等优点。

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