专利详情

专利名称	无需烧结制备高气孔率纳米晶碳化硅泡沫陶瓷的方法
申请号	CN201010104974.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102140030A	公开（授权）日	2011.08.03
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	李江涛;邱军付
主分类号	C04B35/565(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B38/00(2006.01)I
专利有效期	无需烧结制备高气孔率纳米晶碳化硅泡沫陶瓷的方法至无需烧结制备高气孔率纳米晶碳化硅泡沫陶瓷的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于无机非金属材料领域，涉及一种无需烧结制备高气孔率纳米晶碳化硅(SiC)泡沫陶瓷的方法。本发明的方法，是以工业用高纯硅粉和乙炔碳黑为原料，采用颗粒稳定泡沫技术和凝胶注模成型技术相结合制备Si-C泡沫，将制得的Si-C泡沫在燃烧合成反应釜中进行燃烧合成反应制备SiC泡沫陶瓷，以高纯氮气为Si-C泡沫燃烧合成的反应气氛。本发明的制备SiC泡沫陶瓷的方法简单易行，无需常规制备泡沫陶瓷所必需的高温烧结步骤。本发明同时可以制备大尺寸、复杂形状的SiC泡沫陶瓷。