专利详情

专利名称	用于超高灵敏探测的微纳悬臂梁结构制作方法
申请号	CN201010106789.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102139855A	公开（授权）日	2011.08.03
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	曹立新;李位勇;韩烨;许波;赵柏儒
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	用于超高灵敏探测的微纳悬臂梁结构制作方法至用于超高灵敏探测的微纳悬臂梁结构制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种用于超高灵敏探测的微纳悬臂梁结构制作方法，包括下列步骤：1)对晶片进行光刻和刻蚀，制作出悬臂梁；2)通过光刻和刻蚀在晶片正面制备氧化硅掩膜；3)对晶片背面进行光刻和刻蚀，制作出背面沟槽，所述背面沟槽位于悬臂梁的正下方；4)利用步骤2)制备的掩膜，从晶片正面利用各向异性干法刻蚀刻穿硅晶片；5)利用步骤2)制备的掩膜，从正面利用各向同性干法刻蚀悬臂梁下方的硅，并在缓冲氢氟酸中去除氧化硅以释放悬臂梁。本发明各步骤采用的都是通常的微纳机电系统的加工方法，可靠性高，成品率高、加工精度高、能够精确制备各种形状和尺寸的悬臂梁结构，并且可适用于各种不同取向的晶片，易于产业化。