专利详情

专利名称	高使用温度、高稳定无铅正温度系数电阻材料及其制备方法
申请号	CN200810037779.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101284731	公开（授权）日	2008.10.15
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	郑嘹赢;李国荣;李艳艳;冷森林;王天宝;曾江涛;殷庆瑞
主分类号	C04B35/462(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/462(2006.01)I
专利有效期	高使用温度、高稳定无铅正温度系数电阻材料及其制备方法至高使用温度、高稳定无铅正温度系数电阻材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种高使用温度、高稳定无铅正温度系数电阻材料，属于无铅半导体材料领域。该材料的组成通式为：(Na_0.5Bi_0.5)_x1(Ba_1-x1-x2Ln_x2) Ti_1-yM_yO₃+zmol％N。其中0＜x1＜0.5；0＜x2＜0.1；0＜y＜0.1；0≤z≤1；Ln为Sr、Ca、Y、 La中的一种或者多种；M为Nb、Ta、Sb的一种或者多种；N为MnO₂、Al₂O₃、 SiO₂、TiO₂的一种或者多种。本发明的高使用温度、无铅PTCR材料使用温度高于130℃，电阻突跳比(最大电阻与最小电阻比)：100-100000，常温电阻率小于800Ω.cm，在最高电阻的温度与该最高温度以上50℃的温度区间内电阻变化率小于15％，瓷体总体铅含量小于50ppm。可用于制成各类温度传感器、定温发热体、限流器、延时器等，广泛应用于电子通讯、航空航天、汽车工业、家用电器等领域。