专利详情

专利名称	抑制多注速调管高次模振荡和降低杂谱电平的装置
申请号	CN200810055787.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101281849	公开（授权）日	2008.10.08
申请（专利权）人	中国科学院电子学研究所	发明（设计）人	丁耀根;孙小欣;张永清;丁海兵;沈斌
主分类号	H01J23/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01J23/00(2006.01)I;H01J25/10(2006.01)I
专利有效期	抑制多注速调管高次模振荡和降低杂谱电平的装置至抑制多注速调管高次模振荡和降低杂谱电平的装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明一种抑制多注速调管高次模振荡和降低杂谱电平的装置，是用具有设定介电常数和介电损耗的电吸收材料组成的。通过选择该装置的材料参数，形状和尺寸、以及放置位置和连接方法可以有效地抑制多注速调管双间隙耦合腔输出电路中具有π模场形分布的高次模的振荡，降低由该类模式引起的杂谱电平。本发明对具有双间隙耦合腔输出电路的多注速调管能够抑制高次模式振荡，降低杂谱电平。