专利详情

专利名称	基于碳纳米管阵列的电容式气体传感器及其制备方法
申请号	CN200810097898.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101281154	公开（授权）日	2008.10.08
申请（专利权）人	中国科学院合肥物质科学研究院	发明（设计）人	孟凡利;刘锦淮;李民强;陈燕;贾勇;罗涛
主分类号	G01N27/22(2006.01)I	IPC主分类号	G01N27/22(2006.01)I
专利有效期	基于碳纳米管阵列的电容式气体传感器及其制备方法至基于碳纳米管阵列的电容式气体传感器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了基于碳纳米管阵列的电容式气体传感器及其制备方法。在碳纳米管阵列的上下两端分别置有一块平板电极构成电容式气体传感器结构，通过化学气相沉积的方法在阳极氧化铝模板中制备的碳纳米管阵列作为两平板电极的支撑结构，使得两块平板电极之间具有微米级的间距，流过电容传感器两平板电极间气体介电常数的变化由传感器的电容变化量反映出来，可以据此判断被测气体的种类。本发明克服了现有气体传感器的不足之处，有效缩短了电容传感器两平板间距，提高了传感器对气体检测的灵敏度。