专利详情

专利名称	一种基于SOI量子线的单电子晶体管及其制作方法
申请号	CN200710064857.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101276836	公开（授权）日	2008.10.01
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王琴;李维龙;贾锐;刘明;叶甜春
主分类号	H01L29/772(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/772(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	一种基于SOI量子线的单电子晶体管及其制作方法至一种基于SOI量子线的单电子晶体管及其制作方法	法律状态	授权
说明书摘要	一种基于SOI量子线的单电子晶体管及其制作方法。本发明的主要特征是在SOI衬底上制备量子线，利用金属栅对量子线的势垒受限形成隧道结和库仑岛，从而降低了微纳加工的难度，实现隧道结有效尺寸可调的单电子晶体管。其主要工艺步骤如下：(a)离子注入及快速退火；(b)电子束光刻，形成量子线图形；(c)干法刻蚀，将图形转移至SOI的顶层硅上；(d) 光刻；(e)蒸发金属，剥离，合金；(f)二次电子束套刻，形成栅图形；(g) 蒸发栅金属；(h)剥离，形成金属栅；采用本发明方法制备的基于SOI量子线的单电子晶体管具有工艺难度低，可实行性高，易于大规模集成的优点。