专利详情

专利名称	采用一次电子束曝光制备晶体管T型纳米栅的方法
申请号	CN200710064853.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101276749	公开（授权）日	2008.10.01
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘亮;张海英;刘训春
主分类号	H01L21/28(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/28(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I
专利有效期	采用一次电子束曝光制备晶体管T型纳米栅的方法至采用一次电子束曝光制备晶体管T型纳米栅的方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种采用一次电子束曝光制备晶体管T型纳米栅的方法，该方法包括：A、在清洗干净的外延片上匀一层易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶，然后前烘；B、在所述第一层电子束胶上匀第二层电子束胶ZEP520A，然后前烘；C、在所述第二层电子束胶ZEP520A上匀一层易于实现去胶和剥离的第三层电子束胶，然后前烘；D、在所述第三层电子束胶上匀第四层电子束胶ZEP520A，然后前烘；E、进行栅版电子束曝光；F、依次显影第四层电子束胶ZEP520A，易于实现去胶和剥离的第三层电子束胶，第二层电子束胶ZEP520A和易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶；G、腐蚀栅槽，蒸发栅金属并剥离，形成晶体管T型纳米栅。利用本发明，可靠性强，工艺简单，剥离和去胶容易。