专利详情

专利名称	微电子机械系统光学解复用器芯片的制备方法
申请号	CN200710064865.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101276020	公开（授权）日	2008.10.01
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	欧毅;陈大鹏;孙雨南;崔芳;董立军;刘辉;韩劲东
主分类号	G02B6/12(2006.01)I	IPC主分类号	G02B6/12(2006.01)I;G02B6/136(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	微电子机械系统光学解复用器芯片的制备方法至微电子机械系统光学解复用器芯片的制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种制备微电子机械系统光学解复用器芯片的方法，包括：在第一片硅衬底的正面和背面生长氮化硅薄膜；光刻第一版上电极图形；蒸发铬/金薄膜，超声剥离后得到上电极图形；光刻第二版上电极图形；将氮化硅薄膜刻透；在第一片硅衬底的背面第三版光刻出背面的腐蚀窗口图形；在腐蚀窗口图形上涂光学光刻胶，将背面氮化硅薄膜刻透；将第一片硅衬底置于氢氧化钾溶液进行腐蚀，去除上反射镜下的多余部分的硅衬底；在第二片硅衬底上光刻第四版下电极图形；蒸发铬/金薄膜，超声剥离后得到下电极图形；将第一片和第二片硅衬底进行对准键和，划片并焊接引线。利用本发明，降低了制备成本，使微电子机械系统光学解复用器芯片得以广泛推广和应用。