四晶格位结构压电晶体
- 申请号：CN200710173620.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN101275279
- 公开(公开)日：2008.10.01
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 四晶格位结构压电晶体 | ||
| 申请号 | CN200710173620.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101275279 | 公开（授权）日 | 2008.10.01 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 郑燕青;孔海宽;施尔畏 |
| 主分类号 | C30B29/34(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/34(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 四晶格位结构压电晶体 至四晶格位结构压电晶体 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及四晶格位结构压电晶体，其化学式为Me3NeAl3Si2O14，其中Me为 Ca、Sr或Ba，Ne为Sb、Nb或Ta，空间群为P321。本发明通过固相合成方法在 高温下烧结获得相应的化合物，然后通过提拉法、坩埚下降法等晶体生长方法 生长出单晶体，获得的晶体的压电常数e11大于硅酸镓镧晶体，可用于制作声表 面波或声体波压电器件。 | ||
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