
一种抗水流冲击的体硅腐蚀配套设备
- 申请号:CN200710064861.6
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN101274742
- 公开(公开)日:2008.10.01
- 法律状态:授权
- 出售价格: 面议 立即咨询
专利详情
专利名称 | 一种抗水流冲击的体硅腐蚀配套设备 | ||
申请号 | CN200710064861.6 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101274742 | 公开(授权)日 | 2008.10.01 |
申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 石莎莉;陈大鹏;景玉鹏;欧毅;叶甜春 |
主分类号 | B81C5/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C5/00(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I |
专利有效期 | 一种抗水流冲击的体硅腐蚀配套设备 至一种抗水流冲击的体硅腐蚀配套设备 | 法律状态 | 授权 |
说明书摘要 | 本发明涉及一种抗水流冲击的体硅腐蚀配套设备,尤指一种对MEMS 体硅腐蚀设备——恒温腐蚀设备和恒温加超声腐蚀设备的缺陷加以改进 的体硅腐蚀配套设备。本发明中,被固定的腐蚀槽的底部设有与具有开关 的导流管的一端连通的开口,导流管的另一端连接到腐蚀液容器,且放置 硅片的石英架固定在腐蚀槽的靠近敞口的位置;所述腐蚀槽的内部空间呈 几何对称,且腐蚀槽的竖直对称轴通过所述腐蚀槽底部开口的中心;所述 石英架上放置有硅片时,硅片的中心对称轴与所述腐蚀槽的竖直对称轴 重合。本发明还可以在所述腐蚀槽中在硅片两侧对称地设置有加热器。由 此,在硅片两侧可以形成对称的水流流速场和压力场,并可以避免对硅片 的不必要的热冲击。 |
交易流程
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