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一种具有静电防护结构的集成电路

  • 申请号:CN200710064597.6
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院电子学研究所
  • 公开(公开)号:CN101272050
  • 公开(公开)日:2008.09.24
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种具有静电防护结构的集成电路
申请号 CN200710064597.6 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101272050 公开(授权)日 2008.09.24
申请(专利权)人 中国科学院电子学研究所 发明(设计)人 杨海钢;孙嘉斌
主分类号 H02H9/00(2006.01)I IPC主分类号 H02H9/00(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I
专利有效期 一种具有静电防护结构的集成电路 至一种具有静电防护结构的集成电路 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开一种具有静电防护结构的集成电路,包括:输入端口 ESD保护单元、输出端口ESD保护单元、内核电源ESD保护单元、I/O 电源ESD保护单元、输入/输出双向端口ESD保护单元、内核逻辑单 元。相对于传统的静电放电防护电路及方法,本发明提出的技术方案, 针对在可编程逻辑器件中大量采用的双向输入/输出端口,采用了专 门的静电放电防护电路结构。在这个基础上,本发明进一步提出了兼 容双向输入/输出端口的集成电路静电放电防护电路结构,大大提高 了整个芯片对静电放电的防护能力,能够有效地改善静电放电烧毁芯 片所带来芯片可靠性的问题。

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