专利详情

专利名称	互补金属氧化物半导体单片集成的峰值检测电路
申请号	CN200710064599.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101271142	公开（授权）日	2008.09.24
申请（专利权）人	中国科学院电子学研究所	发明（设计）人	杨海钢;崔国平
主分类号	G01R31/26(2006.01)I	IPC主分类号	G01R31/26(2006.01)I;G01R31/28(2006.01)I;G01R19/04(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I
专利有效期	互补金属氧化物半导体单片集成的峰值检测电路至互补金属氧化物半导体单片集成的峰值检测电路	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于互补金属氧化物半导体技术领域，公开一种互补金属氧化物半导体单片集成的峰值检测电路，包括：峰值点寻找电路，用于在输入正弦波信号A的峰值点时刻产生一个上升沿信号；峰值点放电电路，用于在输入正弦波信号峰值点处产生一个放电波形信号 E；数字逻辑，由数字分频信号G和数字波形信号F控制对外部时钟输入I的时间间隔计数，产生一个表征时间间隔的数字输出信号H。本发明的电路只针对峰值点进行采样，简化了采样电路的要求。利用电压-时间转换(或电压到占空比转换)，本发明的电路分辨率受计数时钟频率控制，因此比普通的同等位数模数转换器分辨率高很多。本发明降低了体积功耗，以及满足传感器和电路集成的需要。