
空气中燃烧合成Si3N4粉体及Si3N4/SiC复合粉体的方法
- 申请号:CN200710064620.1
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院理化技术研究所
- 公开(公开)号:CN101269802
- 公开(公开)日:2008.09.24
- 法律状态:授权
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专利详情
专利名称 | 空气中燃烧合成Si3N4粉体及Si3N4/SiC复合粉体的方法 | ||
申请号 | CN200710064620.1 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101269802 | 公开(授权)日 | 2008.09.24 |
申请(专利权)人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明(设计)人 | 杨筠;林志明;李江涛 |
主分类号 | C01B21/068(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B21/068(2006.01)I;C01B31/36(2006.01)I |
专利有效期 | 空气中燃烧合成Si3N4粉体及Si3N4/SiC复合粉体的方法 至空气中燃烧合成Si3N4粉体及Si3N4/SiC复合粉体的方法 | 法律状态 | 授权 |
说明书摘要 | 本发明属于无机非金属材料领域,特别涉及空气中燃烧合成Si3N4粉体及 Si3N4/SiC复合粉体的方法。将70~90重量份的硅粉,5~30重量份的氮化硅, 0.5~20重量份的活化剂进行混合,得到一反应剂混合物;对该反应剂进行研 磨活化处理,活化后的反应剂以0.2~1.0g/cm3的松装密度装入多孔坩锅中, 放置在空气流通良好的环境中,诱发反应剂或使反应剂自发进行自蔓延燃烧 合成反应,得到Si3N4粉体。在其它工艺操作不变的条件下,通过向反应剂原 料中引入C源,C源可以是粒径范围为10~30nm的碳黑或碳纤维,可以制 备出Si3N4/SiC复合粉体。本发明的方法具有工序简单,操作方便,成本低的 优点。 |
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