专利详情

专利名称	一种管状相变存储器单元结构及制作方法
申请号	CN200810034940.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101267017	公开（授权）日	2008.09.17
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	凌云;宋志棠;封松林
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I
专利有效期	一种管状相变存储器单元结构及制作方法至一种管状相变存储器单元结构及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种管状相变存储器单元结构及制作方法，所述的相变存储器单元结构包括上电极、下电极以及存储部分。单元结构的基本特征是：相变材料分布在孔的侧壁，利用孔中相变材料的截面积小电阻大，在读写操作中通过自身发热完成相变，同时在环形相变材料的两端通过加相变材料保温层作为封盖形成管状，以提高读写操作中热量的利用效率，存储部分为一个上下用相变材料封盖的管状结构，里面填充金属、绝缘绝热材料或者高阻材料。本发明的存储器结构可以降低写操作电流、功耗小、热量利用率高、数据保持性能好，可以提高在芯片中器件的阻值一致性。