专利详情

专利名称	氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法
申请号	CN200710064383.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101266999	公开（授权）日	2008.09.17
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	王晓亮;马志勇;冉学军;肖红领;王翠梅;胡国新;唐健;罗卫军
主分类号	H01L29/778(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I
专利有效期	氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法至氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种氮化镓基双异质结场效应晶体管结构，包括：一衬底；一低温氮化镓或高温氮化铝层制作在衬底的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓或高温氮化铝成核层的上面；一氮化铝第一插入薄层，该氮化铝第一插入薄层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一非有意掺杂氮化镓基沟道层，该非有意掺杂氮化镓基沟道层制作在氮化铝第一插入薄层的上面；一氮化铝第二插入薄层，该氮化铝第二插入薄层制作在非有意掺杂氮化镓基沟道层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂Al_xIn_yGa_zN层，该Al_xIn_yGa_zN层制作在氮化铝第二插入薄层的上面。