专利详情

专利名称	连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置
申请号	CN201110267894.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102304763A	公开（授权）日	2012.01.04
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	刘兴昉;郑柳;董林;闫果果;王雷;赵万顺;孙国胜;曾一平;李晋闽
主分类号	C30B29/36(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/36(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I
专利有效期	连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置至连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置，包括：一主腔室，为一圆柱形的中空体，用于提供晶体生长的真空环境，该主腔室的径向穿过一尾气管路，在尾气管路的下方通入一源气体管路；一可动托盘位于主腔室内，在源气体管路的上方；一固定托盘位于主腔室内，在可动托盘的上方；一第一辅助腔室用于提供真空缓冲环境，并在该环境下向所述主腔室提供样品，该第一辅助腔室位于主腔室的一侧，与主腔室连通，在主腔室与第一辅助腔室之间有一第一闸门；一第二辅助腔室用于提供真空缓冲环境，并在该环境下向所述主腔室取出样品，该第二辅助腔室位于主腔室的另一侧，与主腔室连通，在主腔室与第二辅助腔室之间有一第二闸门；其中所述第一和第二辅助腔室通过第一、第二闸门分别与所述主腔室隔离。