专利详情

专利名称	一种发射极上黑硅结构的太阳能电池及其制备方法
申请号	CN201110263591.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102306664A	公开（授权）日	2012.01.04
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	夏洋;刘邦武;沈泽南;李超波;刘杰;李勇滔
主分类号	H01L31/0216(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种发射极上黑硅结构的太阳能电池及其制备方法至一种发射极上黑硅结构的太阳能电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种发射极上黑硅结构的太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池器件制造技术领域。所述太阳能电池包括金属栅线电极、钝化层、发射极、黑硅层、硅衬底和金属背电极；金属背电极位于硅衬底的背面，发射极位于硅衬底上，黑硅层位于发射极上，钝化层位于黑硅层上，金属栅线电极位于钝化层上。所述制备方法包括：在硅衬底的背面制备金属背电极；在硅衬底表面制备发射极；在发射极上制备黑硅层；在黑硅层上制备钝化层；在钝化层制备金属栅线电极；烧结硅衬底。本发明提供的太阳能电池结构能够有效提高pn结掺杂分布的均匀性，提高了太阳能电池开路电压，从而提高了太阳能电池的效率。