专利详情

专利名称	砷化镓衬底改进的快速减薄方法
申请号	CN201010577694.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102543665A	公开（授权）日	2012.07.04
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	汪宁;陈中子;陈晓娟;刘新宇;罗卫军;庞磊
主分类号	H01L21/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/02(2006.01)I
专利有效期	砷化镓衬底改进的快速减薄方法至砷化镓衬底改进的快速减薄方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	公开了一种砷化镓衬底改进的快速减薄方法。该方法基于在砷化镓衬底通过化学试剂进行砷化镓外延晶片的粘附，同时采用真空加压方法进行固定，再使用多层叠加结构来缓冲减薄时带来的损伤和减小尺寸失真，采用独特材质的软陶瓷研磨盘来实现高速精确的背面减薄，再配合使用混合氧化铝研磨浆液，达到小于60?m的厚度。在研磨结束以后，使用纳米抛光溶液进行CMP（化学机械抛光）工艺，达到衬底厚度小于50?m，公差小于±1?m，粗糙度Ra小于1nm的高镜面效果。抛光完后的衬底不龟裂，不卷曲，无划伤等效果。