专利详情

专利名称	一种晶体硅太阳电池及其制备方法
申请号	CN201110008571.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102122674A	公开（授权）日	2011.07.13
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	褚君浩;窦亚楠;何悦;王建禄;马晓光
主分类号	H01L31/0216(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/052(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种晶体硅太阳电池及其制备方法至一种晶体硅太阳电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种晶体硅太阳电池及制备方法，该晶体硅太阳电池包括pn+结硅基底，n+发射极表面有第一非晶氧化铝层和非晶氮化硅层，银电极穿过非晶氮化硅层和第一非晶氧化铝层与n+发射极连接，p型基底表面有复合钝化介质层，包括氧化硅层和第二非晶氧化铝层，p型基底与背电极接触。其制备方法包括复合钝化介质层的特殊制备，本发明采用硝酸和双氧水溶液处理p型基底表面，溶胶-凝胶工艺制备第二非晶氧化铝层，退火后形成复合钝化介质层(4)。本发明具有工艺简单，设备投资低，前表面钝化和抗反射性能好，背表面复合钝化介质层钝化效果优异并能提高长波利用效率等优点。