制备三维半导体存储器件的方法
- 申请号：CN201010611894.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102543877A
- 公开(公开)日：2012.07.04
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 制备三维半导体存储器件的方法 | ||
| 申请号 | CN201010611894.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102543877A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 霍宗亮;刘明 |
| 主分类号 | H01L21/8239(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8239(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 制备三维半导体存储器件的方法 至制备三维半导体存储器件的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 制备三维半导体存储器件的方法。本发明提出的将整个存储阵列转变为多个子存储阵列，改变多层阻变单元结构在下电极通孔刻蚀时候的一次刻蚀方式为各个子存储阵列的各自通孔刻蚀方式，通过通孔金属材料回填达到各个子存储阵列的相互连接。这种方案将明显降低在高密度集成过程中刻蚀工艺的工艺复杂性和难度，能够扩展整个存储阵列的阻变单元的集成层数。 | ||
交易流程
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