专利详情

专利名称	控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法
申请号	CN200910087807.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101930979A	公开（授权）日	2010.12.29
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王文武;朱慧珑;陈世杰;陈大鹏
主分类号	H01L27/092(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/092(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I
专利有效期	控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法至控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种利用栅叠层结构控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法。结构包括：硅衬底；在硅衬底上生长的SiO2界面层；在SiO2界面层上沉积的高k栅介质层；在高k栅介质层上沉积的极薄金属层；在极薄金属层结构上沉积的高k栅介质层；在高k栅介质叠层结构上沉积的金属栅层。制造方法是在NMOS和PMOS器件区域的高k栅介质层内部分别沉积极薄金属层，利用该极薄金属层在高k栅介质层内部形成的正或负电荷来调整器件的平带电压，进而控制器件的阈值电压。利用本发明，不仅可以增强CMOS器件中高k栅介质和SiO2界面层间的界面偶极子，而且还可以很好的控制高k栅介质层内部的固定电荷类型和数量，有效地控制器件的阈值电压。