专利详情

专利名称	一种钼铝氮金属栅的制备方法
申请号	CN200910087809.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101930915A	公开（授权）日	2010.12.29
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	许高博;徐秋霞
主分类号	H01L21/283(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/283(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	一种钼铝氮金属栅的制备方法至一种钼铝氮金属栅的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及纳米特征尺寸半导体器件制备技术领域，公开了一种钼铝氮金属栅的制备方法，该方法包括：清洗硅片；对清洗后的硅片进行淀积前氧化；在氧化后的硅片上淀积高介电常数栅介质；在高介电常数栅介质上淀积氮化铝/钼叠层金属栅；对淀积了氮化铝/钼叠层金属栅的硅片进行超声清洗；对清洗后的硅片进行金属栅淀积后退火，形成钼铝氮金属栅。利用本发明制备的MoAlN金属栅具有非常高的有效功函数(～5.14eV)，满足PMOS器件对金属栅功函数的要求；同时，由于金属栅的采用，可以解决随着小尺寸器件特征尺寸的减小而带来的多晶硅栅耗尽效应、栅电阻严重增大、硼穿透和与高k介质不兼容的问题。