专利详情

专利名称	CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法
申请号	CN201210014840.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102544041A	公开（授权）日	2012.07.04
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	曹中祥;吴南健;周杨帆;李全良
主分类号	H01L27/146(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/146(2006.01)I
专利有效期	CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法至CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法，该像素单元包括单晶硅衬底、在单晶硅衬底内设置的浅槽隔离区、在浅槽隔离区之间设置的转移晶体管和掩埋型感光二极管，其中转移晶体管包含阈值电压调节区，阈值电压调节区位于转移晶体管栅极及其栅介质层下方，且阈值电压调节区所含杂质在沿沟道长度方向上具有不同的浓度分布，在靠近掩埋型感光二极管一侧的阈值调节区的杂质浓度高于在靠近转移晶体管漏极浮空扩散区一侧的阈值电压调节区杂质浓度，在转移晶体管下方沟道处形成一定杂质浓度梯度，从而形成了一定的电势梯度。通过优化像素单元结构和工艺参数，根据本发明的CMOS图像传感器能够有效地消除图像传感器的残像，从而提高成像质量。