一种高迁移率CMOS集成单元
- 申请号：CN201010578514.7
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102544009A
- 公开(公开)日：2012.07.04
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种高迁移率CMOS集成单元 | ||
| 申请号 | CN201010578514.7 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102544009A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 孙兵;刘洪刚 |
| 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种高迁移率CMOS集成单元 至一种高迁移率CMOS集成单元 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种高迁移率CMOS集成单元，属于半导体集成技术领域。该高迁移率CMOS集成单元将高电子迁移率的铟镓砷NMOSFET和高空穴迁移率的锗PMOSFET平面集成在单晶硅衬底上，可以实现具有不同沟道材料且特性优异的集成CMOS器件，具有取代传统硅基CMOS器件的潜力，在后摩尔时代具有实际的应用价值。该CMOS集成单元还可以与传统硅基器件和III-V族化合物半导体器件等器件集成在一起，实现多功能模块单片集成，降低功耗，提高性能。 | ||
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