专利详情

专利名称	一种高迁移率衬底结构及其制备方法
申请号	CN201010578522.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102569364A	公开（授权）日	2012.07.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	孙兵;刘洪刚
主分类号	H01L29/267(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/267(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I
专利有效期	一种高迁移率衬底结构及其制备方法至一种高迁移率衬底结构及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种高迁移率衬底结构及其制备方法，属于半导体集成技术领域。该衬底结构包括单晶硅衬底、缓冲层、势垒层、铟镓砷单晶层、阻挡层和锗单晶层。所述缓冲层置于所述单晶硅衬底之上，所述势垒层置于所述缓冲层之上，所述铟镓砷单晶层置于所述势垒层之上，所述阻挡层置于所述铟镓砷单晶层之上，所述锗单晶层置于所述阻挡层之上。可以利用本发明，实现硅基衬底上高迁移率铟镓砷和锗结合的CMOS器件，或者在铟镓砷单晶层和锗单晶层上制备其它高迁移率半导体器件，该衬底结构还可以制备硅基器件以及用势垒层制备光电器件等，有利于实现多元半导体器件的单片集成，提高性能，减小功耗。