专利详情

专利名称	具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法
申请号	CN201210033517.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102568815A	公开（授权）日	2012.07.11
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	赵建华;朱礼军
主分类号	H01F41/14(2006.01)I	IPC主分类号	H01F41/14(2006.01)I
专利有效期	具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法至具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将衬底放入分子束外延设备样品架；步骤2：将衬底升至一预定温度，保持该温度一预定时间；步骤3：将衬底的温度降低至一预定温度，再利用分子束外延技术在衬底上生长缓冲层；步骤4：将衬底的降温至一预定温度，利用分子束外延技术在缓冲层上生长铁磁薄膜层。通过以上方法制备的具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜，其具有超大矫顽力、超高垂直磁各向异性和超高磁能积，同时具有工艺简单、易于集成、且不含贵金属又不含稀土元素等优点。