一种用于交叉阵列结构存储器的整流器件
- 申请号：CN200910083500.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN101882628A
- 公开(公开)日：2010.11.10
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种用于交叉阵列结构存储器的整流器件 | ||
| 申请号 | CN200910083500.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101882628A | 公开（授权）日 | 2010.11.10 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;左青云;龙世兵 |
| 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种用于交叉阵列结构存储器的整流器件 至一种用于交叉阵列结构存储器的整流器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及微电子器件及存储器技术领域，公开了一种与CMOS工艺兼容的用于交叉阵列结构存储器的整流器件，包括：上电极、下电极以及包含在上电极与下电极之间的功能层薄膜。本发明的整流器件能够提供更高的电流密度，与存储器器件串联后形成的1D1R结构能抑制交叉阵列结构存储器中的串扰现象。本发明的用于交叉阵列结构存储器的整流器件器件具有结构简单，易集成，成本低的优点，有利于本发明的广泛推广和应用。 | ||
交易流程
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