专利详情

专利名称	肖特基二极管、半导体存储器及其制造工艺
申请号	CN201010199669.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101882617A	公开（授权）日	2010.11.10
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张挺;宋志棠;刘波;封松林
主分类号	H01L27/08(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/08(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I
专利有效期	肖特基二极管、半导体存储器及其制造工艺至肖特基二极管、半导体存储器及其制造工艺	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明揭示了一种肖特基二极管、半导体存储器及其制造工艺，所述存储器包含字/位线、半导体层、第一金属层、第二金属层、绝缘材料、电阻转换存储单元；字/位线之间的隔离依靠第一浅沟槽实现，而同一字/位线上方的肖特基二极管单元的隔离依靠第二浅沟槽实现；所述第一浅沟槽深于第二浅沟槽。本发明采用新型结构的肖特基二极管，可通过简单的工艺制造出存储器装置，实现存储器器件成本的大幅降低。