专利详情

专利名称	Mn-Co-Ni-O热敏薄膜的湿法刻蚀方法
申请号	CN201210026626.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102592983A	公开（授权）日	2012.07.18
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	黄志明;周炜;张雷博;侯云;吴敬;褚君浩
主分类号	H01L21/306(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/306(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	Mn-Co-Ni-O热敏薄膜的湿法刻蚀方法至Mn-Co-Ni-O热敏薄膜的湿法刻蚀方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种Mn-Co-Ni-O热敏薄膜的湿法刻蚀方法，主要包括以下步骤：第一步，使用正性光刻胶进行正胶光刻，得到所需图案，将需要的台面图形用光刻胶保护起来；第二步，使用现配的还原性刻蚀液，依据样品片厚度估计所需刻蚀的时间，对样品进行刻蚀，刻蚀完成后用丙酮和酒精清洗，用干燥氮气将样品片吹干。本发明实现了Mn-Co-Ni-O热敏材的湿法刻蚀。本发明还指出，在光刻胶的耐受范围内，适当提高温度以及加入适量的盐酸可以提高刻蚀速率。与干法刻蚀相比，大大提高了效率，热敏电阻边缘整齐，侧蚀比小，图形质量高。