专利详情

专利名称	一种半导体结构及其制造方法
申请号	CN201010501727.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102446953A	公开（授权）日	2012.05.09
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑;钟汇才;尹海洲;骆志炯
主分类号	H01L29/06(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/06(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I
专利有效期	一种半导体结构及其制造方法至一种半导体结构及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请公开了一种半导体结构及其制造方法。本发明与常规接触形成方法相比能够降低接触电阻并防止栅极和接触栓塞之间短路，同时简化了生产工艺程序，提高集成度，降低制造成本。根据本发明的制造方法，所形成的第二浅沟槽隔离上表面与栅极上表面基本相持平，其中，由第二浅沟槽隔离的侧壁和栅极侧墙以及源漏区上表面形成的区域作为接触窗口，经填充导电材料后形成接触。该方法省去了刻蚀接触窗口的工艺步骤，降低了生产成本。通过与栅极自对准的方式形成接触，能够防止对准失误，改善器件性能，同时，能够减少器件所用面积，进而降低制造成本。