专利详情

专利名称	一种反应烧结SiC陶瓷的制备方法
申请号	CN201110036749.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102180674A	公开（授权）日	2011.09.14
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	罗朝华;江东亮;张景贤;林庆玲;陈忠明;黄政仁
主分类号	C04B35/565(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I
专利有效期	一种反应烧结SiC陶瓷的制备方法至一种反应烧结SiC陶瓷的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种反应烧结SiC陶瓷的制备方法，其特征在于采用流延成型和叠层工艺制备出多孔的含碳素坯，并应用于反应烧结碳化硅陶瓷的制备。包含如下步骤：不同比例C/SiC混合粉体在加入适量溶剂、分散剂与粘结剂混合均匀后，将所得到的浆料流延成型得到薄膜。室温干燥后将流延膜剪裁成所需要的尺寸，叠加并在1-30MPa压力下干压成具有一定厚度的多层结构，然后在真空炉中脱粘，最后将脱粘后的素坯在真空炉中反应渗硅，反应温度在1420-1650℃之间，保温时间为5-60分钟。有利于素坯中SiC与C粉的分散以及孔径分布和孔隙率的控制，而且还具有可叠层设计的特点。