专利详情

专利名称	一种SOI场效应晶体管SPICE模型系列的建模方法
申请号	CN201110072771.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102176215A	公开（授权）日	2011.09.07
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	陈静;伍青青;罗杰馨;柴展;王曦
主分类号	G06F17/50(2006.01)I	IPC主分类号	G06F17/50(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I
专利有效期	一种SOI场效应晶体管SPICE模型系列的建模方法至一种SOI场效应晶体管SPICE模型系列的建模方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种SOI场效应晶体管SPICE模型系列的建模方法，通过设计制作辅助器件，测量电学特性数据，获取中间数据，在中间数据的基础上提取模型参数，建立浮体结构SOI场效应晶体管的SPICE模型，并利用中间数据及辅助器件数据提取模型参数，编写宏模型，建立体引出结构SOI场效应晶体管的SPICE模型。本发明提出的建模方法考虑了体引出结构中引出部分的寄生晶体管的影响，利用该方法建立的模型系列能更加准确的反应体引出结构及浮体结构的SOI场效应晶体管的实际工作情况及电学特性，提高了模型的拟和效果。