专利详情

专利名称	氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法
申请号	CN201110152869.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102208502A	公开（授权）日	2011.10.05
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	詹腾;汪炼成;郭恩卿;刘志强;伊晓燕;王国宏
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I
专利有效期	氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法至氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法，包括：步骤1：选择一外延结构，该外延结构包括衬底和氮化镓LED外延层；步骤2：在外延层上沉积SiO2层；步骤3：运用光刻技术，通过匀胶，前烘，曝光，坚膜，在SiO2层上形成光刻胶图形，该光刻胶图形覆盖SiO2层表面周边的部分面积；步骤4：腐蚀未被光刻胶图形掩盖的SiO2层，露出外延层；步骤5：剥离去掉光刻胶图形位置的光刻胶；步骤6：在腐蚀掉SiO2层位置的外延层上，蒸镀ITO层；步骤7：在未被腐蚀的SiO2层的表面相对的两边，蒸发接触金属电极，完成二极管隐形电极的制作。