专利详情

专利名称	一种石墨烯-炭纳米复合透明导电薄膜及其制备方法
申请号	CN201110288761.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103021503A	公开（授权）日	2013.04.03
申请（专利权）人	国家纳米科学中心	发明（设计）人	智林杰;方岩;王杰;罗彬;张先锋;梁明会;何海勇;贾玉莹;邱腾飞
主分类号	H01B1/04(2006.01)I	IPC主分类号	H01B1/04(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;C01B31/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I
专利有效期	一种石墨烯-炭纳米复合透明导电薄膜及其制备方法至一种石墨烯-炭纳米复合透明导电薄膜及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种石墨烯-炭纳米复合透明导电薄膜及其制备方法，通过往氧化石墨烯分散液中添加各种成炭前驱物，然后再进行热还原制得的石墨烯-炭纳米复合薄膜石墨化程度明显提高，从而大幅提升了产品的导电性能，且又不影响膜的透光率。此外，与单纯石墨烯薄膜相比，该薄膜的粗糙度小于0.2nm，平整度高。本发明的制备方法工艺简单，所用试剂性质温和，可以应用于大规模生产，在触摸屏、太阳能电池、发光二极管等光电领域有着很好的应用前景。