专利详情

专利名称	硝酸钠单晶的坩埚下降法生长工艺
申请号	CN201010231621.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101892514A	公开（授权）日	2010.11.24
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	袁晖;熊巍;陈良;周尧
主分类号	C30B11/00(2006.01)I	IPC主分类号	C30B11/00(2006.01)I;C30B29/10(2006.01)I
专利有效期	硝酸钠单晶的坩埚下降法生长工艺至硝酸钠单晶的坩埚下降法生长工艺	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种坩埚下降法生长大尺寸、高质量硝酸钠单晶的方法，属于晶体生长技术领域。本发明采用分析纯硝酸钠为原料，采用单层圆锥底铂金坩埚或圆弧底石英玻璃坩埚装料，采用硅碳棒或硅钼棒为发热体的下降炉进行晶体生长，生长炉温350～380℃，生长速率0.2～1.0mm/h，生长界面温度梯度5～15℃/cm。本发明所述的坩埚下降法生长工艺简单，可按制定的条件进行晶体生长，其温场稳定，径向温梯小，可有效减少晶体开裂，而且一炉可同时生长多根不同规格的硝酸钠单晶。