一种偏置电路
- 申请号：CN201210587443.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103078597A
- 公开(公开)日：2013.05.01
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种偏置电路 | ||
| 申请号 | CN201210587443.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103078597A | 公开（授权）日 | 2013.05.01 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 陈岚;吕志强 |
| 主分类号 | H03F3/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H03F3/24(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种偏置电路 至一种偏置电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供一种偏置电路，包括第一NMOS管和第二NMOS管以及第一PMOS管和第二PMOS管的基本偏置电路，还包括启动电路，所述启动电路的一端与所述第一NMOS管的漏极连接，另一端与所述第一PMOS管的漏极连接，用于在所述偏置电路的电源上电时，为所述偏置电路中的PMOS管和NMOS管提供导通压降，其中，所述启动电路为一个电容。本发明提供的启动电路在偏置电路启动后，电容处于关断状态，此时启动电路不产生功耗，即无功耗，从而节约了电能。此外，由于启动电路的电容面积较小，减轻了电路设计、版图布线的难度，相对减小了电路的版图面积。 | ||
交易流程
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