专利详情

专利名称	一种辐射加固设计的寄存器电路
申请号	CN201310008116.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103077746A	公开（授权）日	2013.05.01
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	吴利华;于芳
主分类号	G11C19/28(2006.01)I	IPC主分类号	G11C19/28(2006.01)I
专利有效期	一种辐射加固设计的寄存器电路至一种辐射加固设计的寄存器电路	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种辐射加固设计的寄存器电路，包括第一级主锁存器、第二级从锁存器、第一反相器和第二反相器。第一级主锁存器有2个数据输入，分别来自寄存器的数据输入di及寄存器的互补数据输入dib；第一级主锁存器有1个时钟输入ck；第一级主锁存器有2个数据输出，分别为锁存数据ql及互补的锁存数据qlb；第二级从锁存器有2个数据输入，分别来自第一级主锁存器的数据输出ql及互补的数据输出qlb；第二级从锁存器有1个时钟输入ck，来自寄存器的互补时钟输入ckn；第二级从锁存器有2个数据输出，分别为寄存器的寄存数据rq及互补的寄存数据rqb。利用本发明，增强了该寄存器的抗辐照性能，并且在提高寄存器抗辐照性能的同时，并未带来过多的面积消耗。