专利详情

专利名称	用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置
申请号	CN201310010357.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103074674A	公开（授权）日	2013.05.01
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	冉军学;胡强;胡国新;梁勇;熊衍凯;王军喜;曾一平;李晋闽
主分类号	C30B25/14(2006.01)I	IPC主分类号	C30B25/14(2006.01)I;C30B25/08(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I
专利有效期	用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置至用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置，包括：一筒体；一水冷匀气板，该水冷匀气板制作在筒体内；一上盖板，该上盖板固定在筒体上，该上盖板与水冷匀气板之间形成一进气腔室；一气体隔离装置，该气体隔离装置固定在上盖板上，该气体隔离装置是将进气腔室隔离成至少两个进气腔室或使之连通。本发明可实现MOCVD反应室进气方式的多样性和灵活性，提高组份混合均匀性并可以避免严重的预反应。