专利详情

专利名称	一种改进性能的Y₂O₃耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法
申请号	CN201110328241.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103074562A	公开（授权）日	2013.05.01
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	邵花;王文东;夏洋;李勇滔
主分类号	C23C4/10(2006.01)I	IPC主分类号	C23C4/10(2006.01)I
专利有效期	一种改进性能的Y₂O₃耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法至一种改进性能的Y₂O₃耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及大气等离子喷涂技术领域，具体涉及一种改进性能的Y2O3耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：步骤（1），选择纯度大于99.95％的Y2O3粉末；步骤（2），对被喷涂的基材表面进行预处理；步骤（3），选择Ar和H2气体为离子气体，通过等离子体喷涂设备在所述基材表面进行等离子喷涂，制备出Y2O3涂层；步骤（4），将喷涂Y2O3涂层的基材置于等离子氧处理设备中，进行等离子氧处理。使用本发明制备的Y2O3涂层为纯正白色，色泽均匀，不再出现杂色斑点，并且具有优异的耐刻蚀性能。

交易流程

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