专利详情

专利名称	一种半导体器件
申请号	CN201090000829.7	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN202930361U	公开（授权）日	2013.05.08
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尹海洲;朱慧珑;骆志炯
主分类号	H01L21/331(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/331(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I
专利有效期	一种半导体器件至一种半导体器件	法律状态
说明书摘要	提供一种半导体器件及其制作方法。该方法包括：提供半导体衬底(1001)，在半导体衬底(1001)上形成晶体管结构，该晶体管结构包括栅极区(100)以及源漏区(200)，栅极区包括在半导体衬底(1001)上形成的栅极介质层(1002)以及在栅极介质层(1002)上形成的牺牲栅(1003)；沉积第一层间介质层(1006)，对第一层间介质层(1006)平坦化以露出牺牲栅(1003)；去除牺牲栅(1003)以形成替代栅孔(1003′)；在第一层间介质层(1006)中与源漏区相对应的位置形成第一接触孔(1009)；以及在第一接触孔(1009)以及替代栅孔(1003′)填充第一导电材料，形成第一接触部(1010)和替代栅(1003”)，第一接触部(1010)与源漏区相接触。由于替代栅和第一接触部可在同一步骤中通过沉积相同材料来形成，因此简化了制造工艺。