专利详情

专利名称	单片集成钛薄膜热电阻可调谐DFB激光器的制作方法
申请号	CN201310019746.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103094832A	公开（授权）日	2013.05.08
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	张灿;梁松;朱洪亮
主分类号	H01S5/026(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/026(2006.01)I;H01S5/12(2006.01)I
专利有效期	单片集成钛薄膜热电阻可调谐DFB激光器的制作方法至单片集成钛薄膜热电阻可调谐DFB激光器的制作方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种单片集成钛薄膜热电阻可调谐DFB激光器的制作方法，包括：选择一磷化铟衬底1；在该衬底1上依次外延生长缓冲层2、多量子阱有源区3；在多量子阱有源区3的表层采用全息曝光刻蚀制作均匀光栅4；在均匀光栅4上生长包层5和电接触层6；采用常规光刻、刻蚀工艺，在电接触层6上制作出脊波导结构7；在制作的脊波导结构7上生长一层钝化层8；采用常规光刻开出正面电极窗口后，在钝化层8上溅射钛、金金属薄膜；在金属薄膜上涂覆光刻胶，一次光刻出正面电极图形9和薄膜电阻压焊电极图形10以及薄膜电阻区11；二次光刻、选择腐蚀形成钛薄膜热电阻条11；磷化铟衬底1减薄后在衬底1的背面制作背面电极12，完成管芯制作。