专利详情

专利名称	纳米和微米硅薄膜的脉冲电子束沉积方法
申请号	CN201310025559.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103060758A	公开（授权）日	2013.04.24
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	曹则贤;鲁年鹏;纪爱玲;鲁振;高磊
主分类号	C23C14/28(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/28(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I
专利有效期	纳米和微米硅薄膜的脉冲电子束沉积方法至纳米和微米硅薄膜的脉冲电子束沉积方法	法律状态	公开
说明书摘要	本发明公开了一种纳米和微米硅薄膜的脉冲电子束层积方法，包括：1）将硅酸盐玻璃作为衬底置于PED的真空腔体沉积室的样品台上，衬底与靶材之间的距离为40mm；2）当本底真空度低于10-4Pa时，通入氩气，调节工作气压为0.1～0.3Pa，控制衬底温度在室温（20°C）到300°C之间进行硅薄膜的沉积，获得纳米或微米硅薄膜。本发明采用PED方法以衬底温度作为控制参数沉积纳米和微米硅薄膜，当衬底温度较低时，由电子束与靶直接相互作用形成的硅纳米团簇就会形成，沉积到薄膜上时，被镶嵌在非晶硅的基质中，形成纳米硅薄膜。当衬底温度升高时，硅的颗粒尺寸就会逐渐变大，其中衬底温度达到300°C时，由于衬底的热效应导致硅团簇的聚集和长大，最终达到微米尺寸。