一种电极引入结构
- 申请号：CN201210477228.0
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103065918A
- 公开(公开)日：2013.04.24
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种电极引入结构 | ||
| 申请号 | CN201210477228.0 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103065918A | 公开（授权）日 | 2013.04.24 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 席峰;王佳;李楠;汪明刚;夏洋 |
| 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J37/32(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种电极引入结构 至一种电极引入结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及等离子体工艺设备技术领域，具体涉及一种电极引入结构。所述电极引入结构，用于等离子体工艺设备，包括电极及包裹电极的绝缘防护结构，绝缘防护结构包括圆筒形的第一绝缘套和设置在第一绝缘套下方的圆筒形的第二绝缘套，第二绝缘套固定在电极上，第一绝缘套固定在等离子体工艺设备的腔室盖的上端。本发明的电极引入结构，可以减小或避免由于防护性与电气绝缘等问题，引起的等离子体启辉不均匀现象的出现；在等离子体启辉条件下，本发明的电极引入结构没有放气现象，可以保持真空腔室对真空度的要求。 | ||
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