专利详情

专利名称	一种超短腔自屏蔽磁共振成像超导磁体
申请号	CN201310030359.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103065758A	公开（授权）日	2013.04.24
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	倪志鹏;王秋良;胡格丽;严陆光
主分类号	H01F6/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01F6/00(2006.01)I;H01F6/06(2006.01)I;G01R33/3815(2006.01)I
专利有效期	一种超短腔自屏蔽磁共振成像超导磁体至一种超短腔自屏蔽磁共振成像超导磁体	法律状态	公开
说明书摘要	一种超短腔自屏蔽磁共振成像超导磁体，由超导正向主线圈(2.1、2.2、3)、超导反向主线圈(4)、超导屏蔽线圈(5)、超导轴向匀场线圈组(6)和超导径向匀场线圈组(7)组成。所有线圈均安装在预布置线圈区域(1)范围内。超导正向主线圈(2.1、2.2、3)、超导反向主线圈(4)和超导屏蔽线圈(5)通电情况下，在直径为30cm的球形成像区域(10)内产生磁场强度为1.5T、磁场峰峰值不均匀度为10ppm的空间磁场分布。超导轴向匀场线圈组(6)和超导径向匀场线圈组(7)产生的矫正磁场使得直径为50cm的球形成像区域(11)内的磁场峰峰值不均匀度由777ppm提高至10ppm。预布置线圈区域(1)的轴向长度、内直径和外直径分别为1.10m、1.00m和1.75m，满足全身成像的需求。