一种透明导电 TiO2/Ag/TiO2复合薄膜的制备方法
- 申请号：CN201210574897.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- 公开(公开)号：CN103060782A
- 公开(公开)日：2013.04.24
- 法律状态：公开
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专利详情
| 专利名称 | 一种透明导电 TiO2/Ag/TiO2复合薄膜的制备方法 | ||
| 申请号 | CN201210574897.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103060782A | 公开（授权）日 | 2013.04.24 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 范翊;刘星元;郭晓阳 |
| 主分类号 | C23C20/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C20/08(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种透明导电 TiO2/Ag/TiO2复合薄膜的制备方法 至一种透明导电 TiO2/Ag/TiO2复合薄膜的制备方法 | 法律状态 | 公开 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种透明导电TiO2/Ag/TiO2复合薄膜的制备方法，属于薄膜材料及薄膜光学领域。在多层TiO2/Ag/TiO2复合薄膜结构中，掺杂的TiO2层采用溶胶-凝胶涂布的方法制备，与Ag层之间不需要添加其他界面优化层，可见区最大透过率超过90%，电阻率小于9*10-5Ω·cm。本发明工艺简单，成本低廉，通过掺杂，实现低电阻率、高透过率TiO2/Ag/TiO2复合薄膜，适合大面积工业化生产。 | ||
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